【地下(布告)号】CN1685086

　　【请求人(专利权)】ACM钻研公司

　　【请求日期】2003-4-11 0:00:00

　　【地下(布告)日】2005-10-19 0:00:00

　　正在本创造的一个计划中，提供了示例性办法以正在晶片上电镀导电膜。办法包罗密度的凹槽区上金属层平整以前正在电流密度范畴外在具备凹槽区以及非凹槽区上的半导体构造上电镀金属层，凹槽区上的金属层平整之后正在第二电流密度范畴内电镀。第二电流密度范畴年夜于电流密度范畴。正在一个例子中，办法还包罗正在第二电流密度范畴内电镀直到第二密度的凹槽区之上的金属层平整，第二密度年夜于密度，尔后正在第三电流密度范畴内电镀。