电解镀铜法、电解镀铜的磷铜阳极和利用所述方法及阳极镀铜的并且具有低微粒附着的半导体晶片

   日期:2021-10-19     浏览:224    
核心提示:  【专利号(请求号)】02810204.5  【地下(布告)号】CN1509351  【请求人(专利权)】株式会社日矿资料  【请求日期】2002-
   【专利号(请求号)】02810204.5

  【地下(布告)号】CN1509351

  【请求人(专利权)】株式会社日矿资料

  【请求日期】2002-11-28 0:00:00

  【地下(布告)日】2004-6-30 0:00:00

  本创造触及一种应用磷铜阳极的电解镀铜法,其特色正在于,所应用的磷铜阳极具备巨细为1500μm至20000μm的晶体颗粒。一种行使电解铜对被电镀物编制如半导体晶片进行电镀的办法,同时避免正在电镀液中的阳极一侧上孕育发生的微粒附着到物体上;一种用于电解镀铜的磷铜阳极;和行使这类办法以及阳极电镀的具备卑微粒附着的半导体晶片。

 









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