6.1.2基片substrate：膜层接受体。

　　6.1.3实验基片testing substrate：正在镀膜开端、镀膜进程中或镀膜完结后用作丈量以及(或)实验的基片。

　　6.1.4镀膜资料coating material：用来制取膜层的原资料。

　　6.1.5蒸发资料evaporation material：正在真空蒸发顶用来蒸发的镀膜资料。

　　6.1.6溅射资料sputtering material：有真空溅射顶用来溅射的镀膜资料。

　　6.1.7膜层资料(膜层材质)film material：组成膜层的资料。

　　6.1.8蒸发速度evaporation rate：正在给按时间距离内,蒸收回来的资料量,除了以该工夫距离

　　6.1.9溅射速度sputtering rate：正在给按时间距离内,溅射进去的资料量,除了以该工夫距离。

　　6.1.10堆积速度deposition rate：正在给按时间距离内,堆积正在基片上的资料量,除了以该工夫距离以及基片外表积。

　　6.1.11镀膜角度coating angle：入射到基片上的粒子标的目的与被镀外表法线之间的夹角。

　　6.2工艺

　　6.2.1真空蒸膜vacuum evaporation coating：使镀膜资料蒸发的真空镀膜进程。

　　6.2.1.1同时蒸发simultaneous evaporation：用数个蒸发器把各类蒸发资料同时蒸镀到基片上的真空蒸发。

　　6.2.1.2蒸发场蒸发evaporation field evaporation：由蒸发场同时蒸发的资料到基片上进行蒸镀的真空蒸发(此工艺使用于年夜面积蒸发以取得到理想的膜厚散布)。

　　6.2.1.3反响性真空蒸发reactive vacuum evaporation：经过与气体反响取得理想化学成份的膜层资料的真空蒸发。

　　6.2.1.4蒸发器中的反响性真空蒸发reactive vacuum evaporation in evaporator：与蒸发器中各类蒸发资料反响,而取得理想化学成份膜层资料的真空蒸发。

　　6.2.1.5间接加热的蒸发direct heating evaporation：蒸发资料蒸发所必需的热量是对蒸发资料(正在坩埚中或不必坩埚)自身加热的蒸发。

　　6.2.1.6感到加热蒸发induced heating evaporation：蒸发资料经过感到涡流加热的蒸发。

　　6.2.1.7电子束蒸发electron beam evaporation：经过电子轰击使蒸发资料加热的蒸发。

　　6.2.1.8激光束蒸发laser beam evaporation：经过激光束加热蒸发资料的蒸发。

　　6.2.1.9直接加热的蒸发indirect heating evaporation：正在加热安装(例如小舟形蒸发器,坩埚,灯丝,加热板,加热棒,螺旋线圈等)中使蒸发资料取得蒸发所必需的热量并经过热传导或热辐射形式通报给蒸发资料的蒸发。

　　6.2.1.10闪蒸flash evaportion：将少少量的蒸发资料间断地做刹时的蒸发。

　　6.2.2真空溅射vacuum sputtering：正在真空中，惰性气体离子从靶外表上轰击出原子(份子)或原子团的进程。

　　6.2.2.1反响性真空溅射 reactive vacuum sputtering：经过与气体的反响取得理想化学成份的膜层资料的真空溅射。

　　6.2.2.2 偏偏压溅射bias sputtering：正在溅射进程中，将偏偏压施加于基片和膜层的溅射。

　　6.2.2.3 直流二级溅射direct current diode sputtering：经过二个电极间的直流电压，使气体矜持放电并把靶作为阴极的溅射。

　　6.2.2.4非对称性交流溅射asy妹妹tric alternate current sputtering：经过二个电极间的非对称性交流电压，使气体矜持放电并把靶作为排汇较年夜正离子流的电极。

　　6.2.2.5高频二极溅射high frequency diode sputtering：经过二个电极间的高频电压取得高频放电而使靶极取得负电位的溅射。

　　6.2.2.6热阴极直流溅射(三极型溅射)hot cathode direct current sputtering：借助于热阴极以及阳极取得非矜持气体放电，气体放电所孕育发生的离子，由正在阳极以及阴极(靶)之间所施加的电压减速而轰击靶的溅射。

　　6.2.2.7 热阴极高频溅射(三极型溅射)hot cathode high frequency sputtering：借助于热阴极以及阳极取得非矜持气体放电，气体放电孕育发生的离子，正在靶外表负电位的作用下减速而轰击靶的溅射。

　　6.2.2.8离子束溅射ion beam sputtering：行使非凡的离子源取得的离子束使靶的溅射。

　　6.2.2.9辉光放电荡涤glow discharge cleaning：行使辉光放电原理，使基片和膜层外表禁受气体放电轰击的荡涤进程。

　　6.2.3物理气相堆积;PVD physical vapor deposition：正在真空状态下，镀膜资料经蒸发或溅射等物理办法气化，堆积到基片上的一种制取膜层的办法。

　　6.2.4化学气相堆积;CVD chemical vapor deposition：肯定化学配比的反响气体，正在特定激活前提下(一般为肯定高的温度)，经过气相化学反响天生新的膜层资料堆积到基片上制取膜层的一种办法。

　　6.2.5磁控溅射magnetron sputtering：借助于靶外表上构成的正交电磁场，把二次电子约束正在靶外表特定区域，来加强电离效率，添加离子密度以及能量，因此可正在低电压，年夜电流下获得很高溅射速度。

　　6.2.6 等离子体化学气相堆积;PCVD plasma chemistry vapor deposition：经过放电孕育发生的等离子体促成气相化学反响，正在高温下，正在基片上制取膜层的一种办法。

　　6.2.7空心阴极离子镀HCD hollow cathode discharge deposition： 行使空心阴极发射年夜量的电子束，使坩埚内镀膜资料蒸发并电离，正在基片上的负偏偏压作用下，离子具备较年夜能量，堆积正在基片外表上的一种镀膜办法。

　　6.2.8电弧离子镀arc discharge deposition：以镀膜资料作为靶极，借助于触发安装，使靶外表孕育发生弧光放电，镀膜资料正在电弧作用下，孕育发生无熔池蒸发并堆积正在基片上的一种镀膜办法。

　　6.3公用部件

　　6.3.1镀膜室coating chamber：真空镀膜设施中施行实际镀膜进程的部件

　　6.3.2蒸发器安装evaporator device：真空镀膜设施中包罗蒸发器以及全副为其工作所需求的安装(例如电能供应、供料以及冷却安装等)正在内的部件。

　　6.3.3蒸发器evaporator：蒸发间接正在其内进行蒸发的安装,例如小舟形蒸发器,坩埚,灯丝,加热板,加热棒,螺旋线圈等等,须要时还包罗蒸发资料自身。

　　6.3.4间接加热式蒸发器evaporator by direct heat：蒸发资料自身被加热的蒸发器。

　　6.3.5直接加热式蒸发器evaporator by indirect heat：蒸发资料经过热传导或热辐射被加热的蒸发器。

　　6.3.6蒸发场evaporation field：由数个陈列的蒸发器加热相反蒸发资料构成的场。

　　6.3.7溅射安装sputtering device：包罗靶以及溅射所须要的辅佐安装(例如供电安装,气体导入安装等)正在内的真空溅射设施的部件。

　　6.3.8靶target：用粒子轰击的面。本规范脱靶的意思就是溅射安装中由溅射资料所组成的电极。

　　6.3.9挡板shutter：用来正在工夫上以及(或)空间下限制镀膜并借此能达到肯定膜厚散布的安装。挡板能够是固定的也能够是流动的。

　　6.3.10时控挡板timing shutter：正在工夫上能用来限度镀膜,因而从镀膜的开端、中缀到完结都能按规则时辰进行的安装。

　　6.3.11掩膜mask：用来遮蔽局部基片,正在空间上能限度镀膜的安装。

　　6.3.12基片支架substrate holder：可间接夹持基片的安装,例如夹持安装,框架以及相似的夹持用具。

　　6.3.13夹紧安装clamp：正在镀膜设施顶用或不必基片支架支承一个基片或几个基片的安装,例如夹盘,夹鼓,球形夹罩,夹篮等。夹紧安装能够是固定的或流动的(旋转架,行星齿轮系等)。

　　6.3.14换向安装reversing device：正在真空镀膜设施中,没有关上设施能将基片、实验玻璃或掩膜放到理想地位上的安装(基片换向器,实验玻璃换向器,掩膜换向器)。

　　6.3.15基片加热安装substrate heating device：正在真空镀膜设施中,经过加热能使一个基片或几个基片达到理想温度的安装。

　　6.3.16基片冷却安装substrate colding device：正在真空镀膜设施中,经过冷却能使一个基片或几个基片达到理想温度的安装。

　　6.4真空镀膜设施

　　6.4.1真空镀膜设施vacuum coating plant：正在真空状态下制取膜层的设施。

　　6.4.1.1真空蒸发镀膜设施vacuum evaporation coating plant：借助于蒸发进行真空镀膜的设施。

　　6.4.1.2真空溅射镀膜设施vacuum sputtering coating plant：借助于真空溅射进行真空镀膜的设施。

　　6.4.2延续镀膜设施continuous coating plant：被镀膜物件(单件或带材)延续地从年夜气压通过压力梯段进入到一个或数个镀膜室，再通过相应的压力梯段，持续分开设施的延续式镀膜设施。

　　6.4.3半延续镀膜设施semi- continuous coating plant：被镀物件经过闸门送进镀膜室并从镀膜室掏出的真空镀膜设施。