地下号 101443485 地下日 20090527 请求人 兰姆钻研无限公司 地点 美国加利福尼自由亚州 本创造提供了一种用于正在半导体晶片(“晶片”)上执行电镀工艺的多层晶片撑持安装。这类多层晶片撑持安装包罗底薄膜层以及顶薄膜层。底薄膜层包罗晶片搁置区域以及突围晶片搁置区域的就义阳极。顶薄膜层被限定成搁置正在底薄膜层之上。顶薄膜层包罗定位正在待解决，即待电镀晶片的外表之上的洞开区域。顶薄膜层提供了正在顶薄膜层以及晶片之间环抱洞开区域的周边设置的液封。顶薄膜层还包罗电路以及第二电路，它们各自被限定环抱晶片正在沿直径的地位上与晶片的周边顶面构成电接触。 |
