电镀半导体晶片的设备及方法

   日期:2021-09-30     浏览:172    
核心提示:专利类型:创造专利号:200510080996专利请求日:2005/06/30地下(布告)号:地下(布告)日:2006/02/01分类号:H01L 21/3205;C25D

专利类型:创造

专利号:200510080996

专利请求日:2005/06/30

地下(布告)号:

地下(布告)日:2006/02/01

分类号:H01L 21/3205;C25D 3/00;C25D 3/38;C25D 7/12;C25D 5/00

请求(专利权)人:兰姆钻研无限公司

创造(设计)人:Y.N.多尔迪;F.C.雷德克;J.M.博伊德;R.马拉彻欣;C.伍兹

请求人:兰姆钻研无限公司

国别省市:US[美国]

提供了一种用于电镀晶片外表的电镀设施。可以给晶片电气充电作为阴极。电镀设施包罗电镀头,该电镀头可以位于晶片外表的上方或上面且可以被电气充电作为阳极。当晶片以及电镀头被充电时,该电镀头可以正在晶片的外表以及电镀头之间进行金属电镀。该电镀头进一步包罗:电压传感器对,其可以读取存正在于电镀头以及晶片的外表之间的电压,和管制器,其可以接纳来自电压传感器对的数据。当电镀头搁置正在晶片外表上方的地位时,管制器应用来自电压传感器对的数据来放弃由阳极施加的根本恒定的电压。还提供了一种晶片的电镀办法。

 









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